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牛津仪器PlasmaPro100 Estrelas刻蚀设备 高刻蚀速率腔刻蚀
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牛津仪器PlasmaPro100 Estrelas刻蚀设备 锥形通孔刻蚀
速率腔刻蚀、高深宽比工艺和锥形通孔刻蚀,不需要更换腔室硬件就可以实现。硬件设计使同一腔室中可进行Bosch™和超低温刻蚀工艺,使得纳米和微米结构刻蚀均可实现兼容50mm至200mm的衬底 - 确保您
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牛津仪器PlasmaPro 100 ALE原子层刻蚀 应用VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀
我们的设备和工艺已通过充分验证,正常运转时间可达90%以上,一旦设备安装完毕,可立即投入使用。PlasmaPro 100系列市场应用广,包括但不限于: MEMS和传感器、光电子、分立元器件和纳米技术。
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牛津仪器PlasmaPro 100 Cobra刻蚀和沉积设备 应用VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀
PlasmaPro 100系列刻蚀和沉积设备可安装多种衬底电极,能够在很宽的温度范围内进行工艺,具有200mm单晶圆和多晶圆批处理能力,该工艺模块可提供具有高度均匀,高产量和高精度的工艺。
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牛津仪器Etch刻蚀工艺
化合物半导体刻蚀AlGaN/GaN/AlN—刻蚀氮化铝镓深度刻蚀GaP—感应耦合等离子体刻蚀磷化镓刻蚀GaAs/AlGaAs—刻蚀砷化镓/砷化铝镓刻蚀GaSb—刻蚀锑化镓刻蚀GaN—刻蚀氮化镓刻蚀
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牛津仪器PlasmaPro 100 ALE原子层刻蚀 应用射频器件低损伤GaN刻蚀
我们的设备和工艺已通过充分验证,正常运转时间可达90%以上,一旦设备安装完毕,可立即投入使用。PlasmaPro 100系列市场应用广,包括但不限于: MEMS和传感器、光电子、分立元器件和纳米技术。
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牛津仪器PlasmaPro 100 Cobra刻蚀和沉积设备 应用射频器件低损伤GaN刻蚀
PlasmaPro 100系列刻蚀和沉积设备可安装多种衬底电极,能够在很宽的温度范围内进行工艺,具有200mm单晶圆和多晶圆批处理能力,该工艺模块可提供具有高度均匀,高产量和高精度的工艺。
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牛津仪器PlasmaPro 100 Cobra刻蚀和沉积设备 应用固体激光器InP刻蚀
PlasmaPro 100系列刻蚀和沉积设备可安装多种衬底电极,能够在很宽的温度范围内进行工艺,具有200mm单晶圆和多晶圆批处理能力,该工艺模块可提供具有高度均匀,高产量和高精度的工艺。
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梅特勒托利多 工业多参数变送器 M200 2-CH ¼DIN
工业多参数变送器 M200 2-CH ¼DIN适用于基础在线分析.这款双通道、尺寸为1/4 DIN的M200变送器设计用于基础的水应用和过程应用。它采用智能传感器管理(ISM)技术,集成了pH
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梅特勒托利多 工业多参数变送器 M200 1-CH ¼DIN
工业多参数变送器 M200 1-CH ¼DIN适用于基础在线分析.这款单通道、尺寸为1/4 DIN的M200变送器设计用于基础的水应用和过程应用。它采用智能传感器管理(ISM)技术,集成了pH
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